SSD、NAND Flash全面理解

SSD、NAND Flash全面理解

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Flash Memory又叫做闪存,是一种非易失性存储器。非易失性是指断电之后数据不会丢失,这里就涉及到断电保护(后面详细讲解)。

总体思路

1、NAND Flash的用途。

2、NAND Flash规则介绍。

3、SSD固件(Firmware,FW)包括:映射表(Mapping Table)、垃圾回收(Garbage Collection)、磨损平衡(Wear Leveling,WL)等。

4、补充概念:写入放大(Write Application)、预留空间(Over Provisioning)、Flash寿命(Program/Erase Count,P/E)等。

5、断电保护机制。 

6、对SSD的评价标准:稳定性、性能、寿命。

1、NAND Flash的用途

HDD是指机械硬盘,是传统普通的硬盘,包括:盘片、磁头、磁盘旋转轴及控制电机、磁头控制器、数据转接器、接口、缓存。

SDD(Solid State Drives)是固态硬盘,包括:控制单元、存储单元(DRAM芯片/FLASH芯片)。

区别:HDD是机械式寻找数据,所以防震远低于SSD,数据寻找时间也远低于SSD。SSD(左图)和HDD(右图)的模样区别如下:

(图片来自百度)

Flash又分NAND Flash和NOR Flash:NOR型存储内容以编码为主,其功能多与运算相关;NAND型主要功能是存储资料,如数码相机中所用的记忆卡。

现在大部分的SSD都是用来存储不易丢失的资料,所以SSD存储单元会选择NAND Flash芯片。这里我们讲的就是SSD中的NAND Flash芯片。

2、NAND Flash的规则

(1)Flash都不支持覆盖,即写入操作只能在空或已擦除的单元内进行。

  更改数据时,将整页拷贝到缓存(Cache)中修改对应页,再把更改后的数据挪到新的页中保存,将原来位置的页标记为无效页;

  指定在已有无效数据的位置写入时,需要先擦除无效页才能在该位置写入新数据。

 

(2)以page为单位写入,以Block为单位擦除;擦除Block前需要先对里面的有效页进行搬迁。

(3)每个Block都有擦除次数限制(有寿命),擦除次数过多会成为坏块(bad block)。

 3、SSD固件内容

(1)映射表 Mapping Table

  逻辑地址:用户程序中使用的相对地址;

  物理地址:实际存储单元的绝对地址;

  所以,映射表里面存储的内容是逻辑地址到物理地址的映射信息,利用逻辑地址查询映射表,找到对应的物理地址,再对实际存储单元做读写访问。

  SSD内部就维护了一张映射表;一般SSD内部会板载DRAM,用于存储程序运行的临时数据,断电会丢失;映射表存放在SDRAM中(方便快速访问),同时NAND Flash中会存储几份映射表(防止断电后映射关系丢失),而且会定期对NAND Flash中的映射便进行更新。

(2)垃圾回收 Garbage Collection

  垃圾回收就是把几个Block中的有效数据集中搬移到新的Block上去, 然后再把这几个Block擦除掉。

  垃圾回收机制有很多,都是根据不同的侧重点提出的,所以没有最优的算法,就像伴侣一样只有适不适合之说。如:Greedy算法,每次选择包含最少有效页的Block来回收,也就是对垃圾的贪心,每次尽可能回收最多的垃圾。还有Cost-Benefit算法(考虑Block的擦除次数)、Cat回收算法、CICL算法等。

另外有两种回收策略:

  • 被动回收策略:当有写入请求的时候,首先判断当前可用空间大小与临界值大小的比较;如果空间足够,直接写入空闲空间;如果空间不够了,首先启用垃圾回收,再往空闲区域完成写入请求。
    • 不足之处:当空间不够的时候写请求会被延迟。
  • 主动回收策略:通过固件设定周期性任务,定时检查可用空间大小,如果需要就执行垃圾回收。
    • 巧妙之处:利用空闲时间提前进行垃圾回收,避免对请求造成不必要的延时。
    • 不足之处:倘若系统一直没有空闲时间,垃圾回收依旧无法有效执行。

(3)磨损平衡 Wear Leveling

  每个Block都是有寿命(Program/Erase Count,P/E值)的,他们的擦除次数是有限的。NAND Flash的寿命类似“木桶原理”,取决于所有Block中的最小寿命。如果拼命对某一块进行擦除,NAND Flash的寿命将会被缩减到最小。所以引入了磨损平衡,平衡所有Block的擦除次数。

  有很多不同的磨损平衡机制,大体可以分为两大类:动态WL、静态WL。

  • 动态WL:使用Block进行擦写时,优先挑选P/E值低的Block。
  • 动态WL:把P/E值低的Block中的数据挪到P/E值高的Block中存放。

4、补充概念

(1)写入放大 Write Application

  写入放大倍数 = 闪存写入数据量 / 主控写入数据量 = 实际写入数据量 / 要求写入数据量

  例如,现在有一个写入一页的请求;即主控写入数据量为1;

 

 

  然而这个一页请求触发了垃圾回收,当前的写请求会被延迟,直到垃圾回收完毕后再执行写入操作;

  如果垃圾回收只挪了5页有效数据,那么实际的写入量应该为6页(1页写请求,5页挪动);即闪存写入数据量为5;

  所以写放大为5/1 = 5。

  理想的写放大为1,但是Sandforce的数据写入时会进行压缩写入,最优情况下,写放大可以为0.5,打破了Intel的“写放大不可能小于1”之说。

(2)预留空间 Over Provisioning

  通过垃圾回收的过程,不难知道,垃圾回收的前提是要提供空闲区域来拷贝,如果连空闲区域都没有,垃圾回收将无法执行,这时将不再支持任何数据的写入。为了避免这种情况的发生,提出了预留空间。

  预留空间不仅仅只是用来保证垃圾回收的正常完成,还存储着SSD内部的系统数据(包括:出厂坏块信息、SSD固件、Mapping Table等)。

  所以如果说明存储大小为256GB,实际上的存储空间可能只有238GB(一般预留空间为7%)。

  另外,OP越大,垃圾回收就会越快,相应写放大会变小,所以读写性能就会越好;但用户能使用的空间会被缩小。

(3)Flash寿命 Program/Erase Count

  前面也已经提及到了,每个Block都是有擦除次数限制的,所以引入了寿命这个说法。

5、断电保护机制

  中控里板载的SDRAM是非易失性存储器,断电之后数据会丢失,这个时候SDRAM中的数据主要包括:用户数据、映射表;

  如果没有断电保护机制,再次上电时,先去NAND Flash中找上次更新时的映射表,这时拿到的信息并不是最新的,是上次更新NAND Flash中映射表时的数据信息,所以发生了大部分数据丢失。

  因此SSD板上会加上钽电容或者超级电容,当检测到非法断电时,首先停止数据操作,钽电容或超级电容开始放电,以保证SDRAM中的数据能够写入到NAND Flash中。

  至于是用钽电容还是超级电容,得看具体要保护的数据量;不是电容的容量越大越好,因为只要电容开始放电,就要等待它的电放完之后才可以进行其他操作。假如电容容量过大,用户只是点了个电脑重启,这时候SSD的电容会开始放电,放电还没完成的时候,电脑已经重新上电,这时无法认盘。所以电容电量应该选最时候的。

  基于SDRAM中的内容,断电保护机制主要分为3种:

(1)保存SDRAM中所有数据

  再次上电后,相当于断电前的操作被中断,重新上电后就可立马进入待命状态。

(2)只保存SDRAM中的用户数据

  再次上电后,需要先把上次NAND Flash中保存的映射表提取到SDRAM中,再将保存的用户数据提取出来,两者结合更新映射信息,更新完之后才进入待命状态。

(3)只保存SDRAM中的映射表

  再次上电后,需要先把上次NAND Flash中保存的映射表提取到SDRAM中,只是丢掉了用户断电前正在操作的数据,无法更新。

6、SSD的评价标准

(1)稳定性:SSD是否稳定,最大的影响因素是垃圾回收机制的选择,恰当的垃圾回收可以提供稳定的读写速率;例如主动垃圾回收机制,在空闲的时候做垃圾回收,读写速度不会因为延时而波动不定。

(2)性能:预留空间的大小主要决定了SSD的性能,OP大,垃圾回收快,相应写放大小,读写性能就越好。

(3)寿命:所有Block的P/E值越趋近于均衡,SSD的寿命就越趋近于最佳。


频道:硬件
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